Memoria
Placa de plomo Oro
Latencia CAS 11
Tiempo activo en fila 35 ns
Tipo de memoria interna DDR3L
Voltaje de memoria 1.35,1.5 V
Configuración de módulos 512M x 64
Buffered memory type Unregistered (unbuffered)
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 4 GB
Tiempo de ciclo de fila 48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila 260 ns
Velocidad de memoria del reloj 1600 MHz
Ancho de datos 64 bit
ECC No
Memoria interna 4 GB
Componente para Portátil
Peso y dimensiones
Ancho 67,6 mm
Altura 30 mm
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa 0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -55 - 100 °C
Otras características
Indicación de error No-ECC
Disposición de memoria 1 x 8192 MB
Montaje en rack 204-pin SODIMM
Velocidad del reloj de bus 1600 MHz
Factor de forma 204-pin SO-DIMM
Organización de los chips X8 - Garantía por escrito de 12 meses - (8538)0(IN) - KVR16LS11/4